磁场改变对等离子体影响技术咨询方案1
建模方式:可视化建模。
应用方向:离子束溅射,材料表面处理。
特点:增加磁场后离子束运动方向发生改变。
模型名称:ionBeamSputtering.sdf
模型几何&设置:
计算域(氩离子从左侧进入,向右运动轰击铜靶)
算例1(基准,无磁场):
粒子分布(红色:氩离子,绿色:铜原子)
电势分布
算例2(垂直于平面的磁场Bz=0.1T,即方向向外):
粒子分布(红色:氩离子,绿色:铜原子)
电势分布
算例3(垂直于平面的磁场Bz=-0.1T,,即方向向里):
粒子分布(红色:氩离子,绿色:铜原子)
电势分布
算例4(平面内的磁场Bx=1.0T,即方向向右):
粒子分布(红色:氩离子,绿色:铜原子)
电势分布
结论:
1.通过施加垂直于平面的磁场,使得离子束的运动轨迹发生偏转,可通过调节磁场来调节离子束轰击的区域。
2.无磁场时,离子束中的离子因为库伦力相互排斥,导致离子束逐渐发散。
3.通过施加与离子束运动方向平行的磁场,可约束离子的径向运动,从而抑制了离子束因为库伦力的扩散,使得离子束看起来更加笔直,轰击区域更加聚焦。